Hipofosfitul de aluminiu de calitate electronică dezvoltat și produs de Taixing adoptă în mod inovator tehnologia de bază de purificare a materiilor prime de calitate electronică și modificare a gradării de precizie. Utilizează ca matrice Al (H ₂ PO ₂) I3 de puritate ridicată, cu o puritate de peste 99,8% și un conținut de fosfor ≥ 42,5%. Combină rezistența la flacără eficientă și performanța electrică excelentă. Cu doar 6% -10% adaos, poate obține un ignifug UL 94 V-0 de 1,6 mm grosime, rezolvând complet problemele industriei de retardanții de flacără tradiționali „substraturi care contaminan, interferează cu performanța electrică și nu pot îndeplini conformitatea cu gradul electronic”. Oferă o soluție de material de bază sigură și conformă pentru producția electronică de ultimă generație.
1. Puritate ultra-înaltă și impurități scăzute, potrivite pentru cerințe stricte de calitate electronică
- Procesul final de purificare asigură puritatea: folosind o combinație de proces de „recristalizare în mai multe etape+filtrare de precizie+degazare în vid”, puritatea produsului este ≥ 99,8%, mult mai mare decât standardul industrial de 99%, eliminând eficient impuritățile dăunătoare, cum ar fi ionii de clorură (≤ 0,001%) și sulfatii (≤ 0,002%), evitați migrarea impurităților care poate cauza scurtcircuite ale componentelor electronice sau degradarea performanței.
-Reziduuri de metale grele ultra scăzute: Prin detectarea ICP-MS, conținutul total de metale grele precum plumb, mercur, cadmiu etc. este ≤ 0,5 ppm, cu mult sub cerințele limită RoHS 2.0. Nu există reziduuri de ftalați (DEHP/BBP, etc.), respectând pe deplin standardele de „poluare scăzută, curățenie ridicată” pentru materialele electronice.
-Conținutul ridicat de fosfor asigură o rezistență la flacără eficientă: Cu un conținut de fosfor de ≥ 42,5%, eficiența ignifugei este crescută cu 40% în comparație cu hipofosfitul obișnuit de aluminiu. După combinarea cu agenți sinergiști, cum ar fi MCA și APP, adăugarea a 8% la substratul PCB poate obține un nivel V-0 de ignifugare fără a afecta proprietățile dielectrice ale substratului.
2. Performanța electrică excelentă asigură funcționarea stabilă a dispozitivelor electronice
-Pierdere dielectrică scăzută și izolație ridicată: constantă dielectrică (1MHz) ≤ 3,8, factor de pierdere dielectric ≤ 0,005, rezistivitate de volum ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. Adăugarea nu modifică în mod semnificativ proprietățile electrice ale substratului, asigurând stabilitatea transmisiei semnalului a ambalajului semiconductorilor și a echipamentelor de comunicație de înaltă frecvență.
- Caracteristici remarcabile de migrare anti-ion: După ce a fost plasat într-un mediu umed și fierbinte de 85 ℃/85% RH timp de 1000 de ore, nu există un fenomen evident de migrare a ionilor, evitând ca componentele electronice să se confrunte cu „eșecuri de migrare electrică” și să îndeplinească cerințele de service pe termen lung ale bateriilor noi, ale dispozitivelor electronice auto și ale altor dispozitive.
-Bune non-corozivitate și compatibilitate: Valoarea pH-ului este stabilă la 3,5-4,5 și nu are efect coroziv asupra contactelor metalice și a plăcilor de circuite. Are o compatibilitate excelentă cu substraturi de calitate electronică, cum ar fi rășina epoxidică, PA, PBT etc. și nu provoacă degradarea substratului sau deteriorarea performanței.
Domeniul semiconductorilor și ambalajelor electronice
-Aplicații: materiale de ambalare pentru cipuri semiconductoare, adezivi pentru ghiveci pentru componente electronice, carcase pentru circuite integrate
-Ca umplutură cu dielectric scăzut pentru a înlocui o micropulbere de siliciu, cantitatea de adăugare este de 15-30%. În timp ce menține fluiditatea, reduce constanta dielectrică cu 0,2-0,3 și îmbunătățește rezistența la flacără la UL94 V-0. Este folosit pentru ambalarea CPU, GPU și cip de stocare.
Câmp placă de circuit imprimat (PCB).
-Aplicații: materiale de substrat PCB, laminate placate cu cupru ignifuge, carcase plăci de circuite
-Laminat placat cu cupru cu pierderi reduse (CCL): compozit cu rășini de înaltă frecvență precum PTFE, PPO, ester cianat etc., cu un adaos de E-AHP100 de 20-40%, obținând Dk 3,2-3,8 și Df<0,005, îndeplinind cerințele antenei de tip backboard cu viteză milimetrică de mare 5G și server.
Dacă sunteți în căutarea de fosfat de aluminiu de calitate electronică, retardanți de flacără pentru componente electronice, retardanți de flacără pentru substraturi PCB și retardanți de flacără pentru baterii de energie noi, Taixing va fi cel mai bun partener și vă vom oferi cooperarea la cel mai mic preț!
Abordare
Lvye Road West, Diao Town Chemical Industry Park, Mingshui Economic & Technology Development Zone, Zhangqiu, Jinan, China
Tel